2024年天津大學非全日制研究生招生考試《半導體物理與器件》考試大綱
一、考試的總體要求
本課程為本專業主干專業基礎課，要求考生掌握半導體物理的基本概念、二極管/雙極型晶體管/場效應晶體管等器件的基本原理和應用。
二、考試的內容及比例
(一)考試內容要點： 第一部分：(50%)
1、半導體能帶結構、半導體有效質量、空穴、雜質能級;
2、熱平衡狀態下半導體載流子的統計分布，本征半導體和雜質半導體的載流子濃度，簡并半導體和重摻雜效應;
3、半導體的導電性：載流子的漂移運動、遷移率、散射、強電場效應、熱載流子的概念,
半導體電阻率與溫度、雜質濃度的關系;
4、非平衡載流子：非平衡載流子的產生、復合、壽命、擴散長度、準費米能級，愛因斯坦關系，一維穩定擴散，光激發載流子衰減;
5、p-n結：平衡與非平衡p-n結特點及其能帶圖，pn結理想和非理想I-V特性，p-n結電容概念與擊穿機制，p-n結隧道效應、肖特基勢壘二極管;
6、金屬與半導體接觸特點及其能帶圖，金屬半導體接觸整流理論，歐姆接觸;
7、MOS結構表面電場效應，理想與實際MOS結構C-V特性; 第二部分：(50%)
1、雙極晶體管的基本結構，工作原理，少子分布，低頻電流增益和非理想效應;
2、雙極晶體管的等效電路模型，頻率特性和開關特性;
3、MOSFET的基本結構，工作原理，關鍵參數，電流電壓關系，擊穿特性;
4、MOSFET的小信號模型和頻率特性;
5、MOSFET的非理想效應;
6、結型場效應晶體管的結構和基本工作原理;
7、光器件與功率器件的原理、特點與應用。
(二)比例：
兩部分考試內容各占50%。
三、試卷題型及比例
1、填空與問答題：80%
2、計算與推導題：20%
四、考試形式及時間
考試形式均為筆試。考試時間為3小時(滿分150)。
五、參考書目
半導體物理學，(第七版)，劉恩科、朱秉升、羅晉生編著，電子工業出版社。半導體物理與器件，(第四版)，趙毅強、姚素英等譯，電子工業出版社。
晶體管原理與設計，陳星弼 張慶中等， 電子工業出版社。
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