2020年華南理工大學(xué)非全日制研究生入學(xué)考試《半導(dǎo)體物理》考研大綱
考試內(nèi)容和考試要求
1、半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體的結(jié)合性質(zhì);
2、半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)：半導(dǎo)體能帶的形成，Ge、Si、GaAs能帶結(jié)構(gòu)，有效質(zhì)量、空穴、雜質(zhì)和缺陷能級;
3、熱平衡下半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計分布：狀態(tài)密度、費米能級、本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，簡并半導(dǎo)體和重?fù)诫s效應(yīng);
4、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性：半導(dǎo)體導(dǎo)電原理，載流子的漂移運動、遷移率、散射機(jī)構(gòu)，半導(dǎo)體電阻率(電導(dǎo)率)隨溫度和雜質(zhì)濃度的變化規(guī)律，強(qiáng)電場效應(yīng)、熱載流子，負(fù)阻效應(yīng);
5、非平衡載流子：非平衡載流子與準(zhǔn)費米能級，非平衡載流子注入與復(fù)合，復(fù)合理論，非平衡載流子壽命，愛因斯坦關(guān)系，載流子漂移、擴(kuò)散運動，缺陷效應(yīng)，連續(xù)性方程;
6、pn結(jié)：平衡與非平衡pn結(jié)特點及其能帶圖，pn結(jié)的I-V特性、電容特性、開關(guān)特性、擊穿特性;
7、 金屬和半導(dǎo)體接觸：半導(dǎo)體表面態(tài)，表面電場效應(yīng)，金屬與半導(dǎo)體接觸特性、MIS結(jié)構(gòu)電容-電壓特性，
8、半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)：異質(zhì)結(jié)的形成機(jī)理、能帶圖;
9、半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)及光電效應(yīng)：半導(dǎo)體的光吸收，半導(dǎo)體光電導(dǎo)，半導(dǎo)體光生伏特效應(yīng)，半導(dǎo)體發(fā)光及半導(dǎo)體激光器;
10、半導(dǎo)體熱電、磁電及壓阻效應(yīng)：半導(dǎo)體熱傳導(dǎo)及熱電效應(yīng)，半導(dǎo)體的霍耳效應(yīng)，半導(dǎo)體的壓阻效應(yīng)。
備注
選讀書目
1、《半導(dǎo)體物理學(xué)》，劉恩科等編，國防工業(yè)出版社。
2、《半導(dǎo)體物理學(xué)基礎(chǔ)教程》，馮文修等編，國防工業(yè)出版社
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