2024年北京工業(yè)大學(xué)非全日制研究生招生考試《半導(dǎo)體物理》考試大綱
一、考試要求
半導(dǎo)體物理考試大綱適用于北京工業(yè)大學(xué)信息學(xué)部電子科學(xué)與技術(shù)系(0809)電子科學(xué)與技術(shù)、(085403 )集成電路工程(專業(yè)學(xué)位)的碩士研究生招生考試，
適用于電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科中信息光電子學(xué)與光通信、超大規(guī)模集成電路設(shè)計與系統(tǒng)集成和電子器件、射頻和功率集成電路及可靠性方向的考試課程。考試內(nèi)容包含常見半導(dǎo)體材料和基本器件結(jié)構(gòu)物理特性以及相關(guān)的機理與理論，
要求考生對其中的基本概念有很深入的理解，系統(tǒng)掌握半導(dǎo)體物理學(xué)中基本理論和分析方法，具有綜合運用所學(xué)知識分析問題和解決問題的能力。
二、考試內(nèi)容
1. 常見半導(dǎo)體(Si，Ge，GaAs)的晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)和物理性質(zhì)
2. 純凈半導(dǎo)體、摻雜半導(dǎo)體中電子狀態(tài)描述，熱平衡載流子濃度，以及相關(guān)溫度特性
3. 載流子遷移率，電場作用下載流子漂移運動，半導(dǎo)體導(dǎo)電性和電阻率，以及相關(guān)溫度和摻雜影響特性，霍爾效應(yīng)
4. 非平衡載流子的復(fù)合-產(chǎn)生機理，載流子壽命，以及擴散運動特性，載流子連續(xù)性方程
5. 同質(zhì) PN 結(jié)特性、電流-電壓特性、電容特性、擊穿特性
6. MOS 結(jié)構(gòu)特性、半導(dǎo)體表面狀態(tài)，以及與施加電壓關(guān)系，電容-電壓特性
7. 金屬-半導(dǎo)體接觸特性，異質(zhì)結(jié)相關(guān)概念
三、參考書目
1.劉恩科，《半導(dǎo)體物理學(xué)》，國防工業(yè)出版社，1994
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